Samsung Electronics se ha fijado como objetivo convertirse en líder en el campo emergente de la memoria DRAM 3D, según un informe de Semiconductor Engineering. Este anuncio, realizado en la conferencia Memcon 2024, destaca el movimiento estratégico de la compañía para abordar las limitaciones de los diseños de memoria tradicionales a medida que la industria avanza hacia tamaños de chips aún más pequeños.
Samsung presenta tecnología 3D DRAM para soluciones de memoria de próxima generación
Dado que se espera que los anchos de línea DRAM caigan por debajo de los 10 nm en la segunda mitad de esta década, las arquitecturas de memoria actuales se están acercando a sus límites de escala. Esto ha estimulado la exploración de soluciones innovadoras como 3D DRAM, que promete importantes beneficios en términos de capacidad y reducción de espacio.
En Memcon 2024, Samsung presentó dos tecnologías clave para 3D DRAM: transistores de canal vertical y DRAM apilada. Los transistores de canal vertical representan un cambio fundamental en el diseño de transistores. Al girar el canal de flujo de corriente de horizontal a vertical, Samsung pretende reducir significativamente la huella del transistor. Sin embargo, este enfoque también exige una precisión mucho mayor en el proceso de grabado.
La DRAM apilada, por otro lado, se centra en maximizar la utilización del espacio. A diferencia de la DRAM 2D tradicional que utiliza solo el plano horizontal, la DRAM apilada aprovecha la dimensión vertical (eje z) para apilar múltiples capas de celdas de memoria dentro de un solo chip. Este enfoque innovador tiene el potencial de aumentar la capacidad de un solo chip a más de 100 GB, un salto sustancial en comparación con las limitaciones actuales.
Estos desarrollos en la tecnología 3D DRAM son parte de la hoja de ruta a largo plazo de Samsung para mejorar las capacidades de memoria para diversas aplicaciones, incluidos centros de datos, electrónica de consumo y tecnologías emergentes como inteligencia artificial y redes 5G.
Se prevé que el mercado de DRAM 3D alcance la asombrosa cifra de 100 mil millones de dólares para 2028. Para solidificar su liderazgo en esta carrera, Samsung ha tomado medidas proactivas al establecer un laboratorio de investigación dedicado a DRAM 3D en Silicon Valley a principios de este año. Este movimiento estratégico los posiciona para atraer los mejores talentos y acelerar sus esfuerzos de investigación y desarrollo. Samsung también está explorando la tecnología MUF para fabricar DRAM de próxima generación para servidores.
Las ambiciones de Samsung en 3D DRAM marcan un importante impulso hacia una nueva era de la tecnología de memoria. Si tiene éxito, esta innovación podría allanar el camino para dispositivos electrónicos aún más potentes y compactos en los próximos años. La competencia en este espacio seguramente se intensificará a medida que otros grandes fabricantes de memorias se esfuercen por ponerse al día. Sin embargo, con su ventaja y su compromiso con la investigación, Samsung parece estar bien posicionada para reclamar la corona en la revolución 3D DRAM.
